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外延单片式激光二极管抽运被动调Q微激光器
引用本文:饶海波,廖云,成建波,闫平,王云祥. 外延单片式激光二极管抽运被动调Q微激光器[J]. 光学学报, 2007, 27(1): 90-93
作者姓名:饶海波  廖云  成建波  闫平  王云祥
作者单位:1. 电子科技大学光电信息学院,成都,610054
2. 清华大学精密仪器与机械学系,北京,100084
3. 电子科技大学光电信息学院,成都,610054;清华大学精密仪器与机械学系,北京,100084
基金项目:四川省科技攻关计划基金(01GG1901),国家863激光创新基金(20030510)资助课题
摘    要:基于液相外延工艺,实现了一种结构新颖的单片式被动调Q微片激光器。采用了在激光介质Nd3 ∶YAG表面直接液相外延生长一层具有饱和吸收特性的Cr4 ∶YAG膜的微谐振腔的结构,由于是同质外延生长过程,能够确保饱和吸收体与增益介质间(Nd3 ∶YAG/Cr4 ∶YAG)良好的界面特性。采用光纤耦合激光二极管,在激光二极管输出为1W的抽运条件下,实现了峰值功率近千瓦、稳定重复频率在4kHz以上、脉宽1.8ns、TEM00单横模式、波长1.064μm的调Q脉冲序列输出。在对新型单片式微激光器的性能报道的基础上,阐述了外延单片式结构及其相应工艺的潜在优势。

关 键 词:激光器  微片激光器  液相外延  单片式  被动调Q
文章编号:0253-2239(2007)01-0090-4
收稿时间:2006-02-14
修稿时间:2006-02-14

Laser Diode-Pumped Passively Q-Switched Monolithic Microchip Laser Based on Liquid Phase Epitaxy
Rao Haibo,Liao Yun,Cheng Jianbo,Yan Ping,Wang Yunxiang. Laser Diode-Pumped Passively Q-Switched Monolithic Microchip Laser Based on Liquid Phase Epitaxy[J]. Acta Optica Sinica, 2007, 27(1): 90-93
Authors:Rao Haibo  Liao Yun  Cheng Jianbo  Yan Ping  Wang Yunxiang
Affiliation:1 School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054; 2 Department of Precision Instruments and Mechanology, Tsinghua University, Beijing 100084
Abstract:
Keywords:lasers  microchip laser  liquid phase epitaxy  monolithic  passively Q-switching
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