| 射频溅射ZnO作缓冲层的HVPE法生长GaN厚膜 |
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| 引用本文： | 王如.射频溅射ZnO作缓冲层的HVPE法生长GaN厚膜[J].光电子．激光,2009(12):1602-1605. |
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| 作者姓名： | 王如 |
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| 作者单位： | 河北工业大学信息工程学院;中国电子科技集团第46研究所; |
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| 基金项目： | 国家“863”计划资助项目(2006AA03A144) |
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| 摘 要： | 在低温HVPE-GaN/c-Al2O3模板上射频溅射ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延(HVPE,hydridevapoarphaseepitaxy)法外延生长了高质量的GaN320μm厚膜。用高分辨率双晶X射线衍射仪(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了制备的GaN厚膜特性。结果表明,GaN(0002)面的X射线摇摆曲线衍射峰半高宽(FWHM)为336.15arcsec,穿透位错密度(TDD)为107cm-2,外延生长的GaN厚膜晶体质量较好,可以作为自支撑GaN衬底。
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| 关 键 词： | 氢化物气相外延(HVPE) ZnO 自支撑衬底 横向生长 穿透位错密度 |
Study of high-quality thick GaN films grown on RF-ZnO buffer by hydride vapoar phase epitaxy |
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| WANG Ru.Study of high-quality thick GaN films grown on RF-ZnO buffer by hydride vapoar phase epitaxy[J].Journal of Optoelectronics·laser,2009(12):1602-1605. |
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| Authors: | WANG Ru |
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| Institution: | WANG Ru1,YANG Rui-xia1,XU Yong-kuan2,MU Cun1,WEI Wei1(1.School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300401,China,2.The 46th Research Institute,CETC,Tianjin 300220,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydride vapoar phase epitaxy(HVPE) ZnO free-standing substrates lateral epitaxial overgrown threading dislocation density |
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