| Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性 |
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| 引用本文： | 吴云,廖蕾,吴幕宏,卢红兵,李金钗.Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性[J].武汉大学学报(理学版),2008,54(3):291-294. |
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| 作者姓名： | 吴云 廖蕾 吴幕宏 卢红兵 李金钗 |
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| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
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| 摘 要： | 采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型 (111) Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外( FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si-H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K). 部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据.
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| 关 键 词： | 离子注入 Si基稀磁半导体 红外光谱 居里温度 磁化率 掺杂 稀磁半导体 磁学特性 Semiconductors Magnetic Properties 铁磁半导体 室温 磁化强度 低温区 载流子 原子束 同一条件 长程相互作用 传导电子 缺陷 悬挂键 离子注入 氢原子 退火 发现 |
| 文章编号： | 1671-8836(2008)03-0291-04 |
| 修稿时间： | 2008年1月19日 |
Preparation and Magnetic Properties of Cr-Doped Si-Based Dilute Magnetic Semiconductors |
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| WU Yun,LIAO Lei,WU Muhong,LU Hongbing,LI Jinchai.Preparation and Magnetic Properties of Cr-Doped Si-Based Dilute Magnetic Semiconductors[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2008,54(3):291-294. |
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| Authors: | WU Yun LIAO Lei WU Muhong LU Hongbing LI Jinchai |
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