| GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 |
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| 引用本文： | 刘振先,李国华,韩和相,汪兆平.GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化[J].半导体学报,1994,15(3):163-170. |
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| 作者姓名： | 刘振先 李国华 韩和相 汪兆平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 利用高压光致发光方法在液氮温度下和０—３５ｋａｒ的压力范围内对不同层厚的ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格以及具有相近组份的Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料进行了系统的研究．测得Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料的Γ谷和Ｘ谷的压力系数分别为８．６ｍｅＶ／ｋｂａｒ和－．５７ｍｅＶ／ｋｂａｒ．在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类Ｘ态相关的发光峰，从而得到了类Γ态能级和类Ｘ态能级随压力的变化关系．首次获得了有关ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格能带不连续性（包括价带
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| 关 键 词： | GaAs／AlGaAs 能带结构 超晶格 压力 |
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