碲镉汞薄膜的进展与趋势 |
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引用本文: | 周茂树.碲镉汞薄膜的进展与趋势[J].红外与激光工程,1993(6). |
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作者姓名: | 周茂树 |
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作者单位: | 航天工业总公司三院八三五八所 |
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摘 要: | 本文针对响应波长8~12μmMCT焦平面阵列探测器对MCT薄膜材料性能要求,分析了液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)生长的MCT薄膜,究竟哪一种方法生长的薄膜能更好地满足焦平面阵列探测器的技术要求。根据LPE工艺的日趋成熟所暴露出来的缺点,MBE工艺的进展与理论上预示的优点在实验中得到了证实。两者相比较,它们相互易位,过去10多年把LPE作为生长MCT薄膜的主要方法,现在已转向以MBE(也包括MOCVD)作为今后生长MCT薄膜的主攻方向。
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关 键 词: | 碲镉汞薄膜 液相外延 分子束外延 焦平面器件 |
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