| 水在β-氮化硅(0001)面吸附的密度泛函理论研究 |
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| 引用本文： | 王玲,王学业,王寒露,王衡亮,刘爱虹,谭援强.水在β-氮化硅(0001)面吸附的密度泛函理论研究[J].摩擦学学报,2007,27(1):60-63. |
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| 作者姓名： | 王玲 王学业 王寒露 王衡亮 刘爱虹 谭援强 |
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| 作者单位： | 湘潭大学,化学学院,湖南,湘潭,411105;湘潭大学,机械工程学院,湖南,湘潭,411105 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，湖南省杰出青年科学基金，湖南省教育厅资助项目 |
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| 摘 要： | 采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法对H2O在β-Si3N4(0001)面上的吸附进行研究,采用原子簇模拟β-Si3N4(0001)表面,在6-31G·水平上计算常温常压下H2O分子在β-Si3N4(0001)表面的吸附构型和吸附能及电荷变化,同时考察温度、压强及预吸附BH3对吸附体系的影响.结果表明:H2O分子通过H原子吸附在β-Si3N4(0001)面的N原子顶位时最有利;当温度为100 ℃,压强分别为3×105～10×105 Pa时,吸附能为189.59 kJ/mol,与常温常压体系相比,吸附能增加了57.19 kJ/mol,吸附后O-H键拉长,可能发生解离;在BH3修饰的β-Si3N4(0001)表面上,由于预吸附导致吸附能减少.
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| 关 键 词： | H2O β-Si3N4 吸附 表面 密度泛函理论(DFT) |
| 文章编号： | 1004-0595（2007）01-0060-04 |
| 修稿时间： | 2006-03-23 |
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