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GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究
引用本文:
李志国,赵瑞东,孙英华,吉元,程尧海,郭伟玲,王重,李学信.GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究[J].半导体学报,1996,17(1):65-70.
作者姓名:
李志国
赵瑞东
孙英华
吉元
程尧海
郭伟玲
王重
李学信
作者单位:
北京工业大学电子工程系
摘 要:
本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊
关 键 词:
MESFET
砷化镓
肖特基势垒
退化
场效应晶体管
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