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| 注F CC4007电路的电离辐射效应 | |
| 引用本文： | 张国强,严荣良,罗来会,余学峰,任迪远,赵元富,胡浴红.注F CC4007电路的电离辐射效应[J].半导体学报,1996,17(1):35-40. |
| 作者姓名： | 张国强 严荣良 罗来会 余学峰 任迪远 赵元富 胡浴红 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所，西安微电子技术研究所 |
| 摘 要： | 本文分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｏ６０γ辐照响应结果．实验表明、把适量的Ｆ引入栅介质，能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长，从而引起较小的阈电压漂移和Ｎ沟静态漏电流的增长．器件导电类型和辐照栅偏压不改变注Ｆ栅介质的抗辐照特性．注Ｆ栅介质辐照敏感性的降低可归结为Ｆ能减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力、并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱健等的缘故． |
| 关 键 词： | 注氟 CC4007电路 电离辐射效应 |
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