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| 应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank—Read源的关系研究 | |
| 引用本文： | 邹吕凡,王占国.应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank—Read源的关系研究[J].半导体学报,1996,17(3):186-190. |
| 作者姓名： | 邹吕凡 王占国 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 基于能量最小近氦模型，研究了应变异质结外延材料，中产生了Ｆｒａｎｄ－Ｒｅａｄ源以释放失配能力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度，对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间的最小距离。 |
| 关 键 词： | 应变异质结 外延材料 GoSi合金 Frank－Read源 |
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