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| Ar＋背面轰击对SiOxNy栅介质的n—MOSFET迁移率和跨导的影响 | |
| 作者姓名： | 李观启 曾旭 |
| 作者单位： | [1]华南理工大学应用物理系 [2]香港大学电机电子工程学系 |
| 摘 要： | 用低能量氩离子束轰击芯片背面，能改善以热氮化和快速热氮化ＳｉＯｘＮｙ为栅介质的ｎ沟的ＭＯＳＦＥＴ的特性，结果表明，在能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时，随着轰击时间的增加，跨导、沟道和有效迁移率增大，然后这些变化趋于减缓，甚至开始呈恶化趋势。快速热氮化ＳｉＯｘＮｙ 介质的ＭＯＳＦＥＴ的改善效果要比常规热氮化的好、实验证明，上述参数的改善是由于界面态密度和固定电荷密度减小的结果，文中 |
| 关 键 词： | 氩离子轰击 SiOxNy栅介质 n－MOSFET 迁移率 跨导 |
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