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| 微波消解电感耦合等离子体光谱法测定碳化硼中痕量杂质元素 | |
| 引用本文： | 汪正,邱德仁,邹慧君,陶光仪,杨芃原.微波消解电感耦合等离子体光谱法测定碳化硼中痕量杂质元素[J].分析化学,2006,34(12):1818-1818. |
| 作者姓名： | 汪正 邱德仁 邹慧君 陶光仪 杨芃原 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;复旦大学化学系,上海,200433 2. 复旦大学化学系,上海,200433 3. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
| 基金项目： | 上海科学技术发展基金(No.0159nm075)，中科院上海硅酸盐所主任基金(No.ZRJJ200401)资助 |
| 摘 要： | 1引言碳化硼(B4C)陶瓷由于具有极高的硬度、优异的耐磨性能、优良的高温稳定性和化学稳定性以及轻质等优良特性而受到人们的极大关注,已在某些领域内得到了广泛应用。研究表明碳化硼中微量乃至痕量杂质元素都会影响其性能。电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)分析通常要求将样品处理成溶液雾化进样分析。在常压常温下,即使使用氢氟酸、碳化硼也难于分解。熔融样品则会引入大量的熔剂,需要稀释制样,影响样品痕量元素检测,且要使样品完全分解和分析也比较困难。本实验使用微波高压消解系统消解碳化硼样品,并用ICP-AES测定了碳化硼… |
| 关 键 词： | ICP-AES测定 电感耦合等离子体光谱法 痕量杂质元素 微波消解 碳化硼 电感耦合等离子体原子发射光谱法 样品处理 微波高压消解 |
| 收稿时间： | 03 30 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-03-302006-06-06 |
Microwave-assisted Digestion with Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Determination of Impurities in Boron Carbide |
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| Wang Zheng,Qiu Deren,Zou Huijun,Tao Guangyi,Yang Penyuan.Microwave-assisted Digestion with Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Determination of Impurities in Boron Carbide[J].Chinese Journal of Analytical Chemistry,2006,34(12):1818-1818. | |
| Authors: | Wang Zheng Qiu Deren Zou Huijun Tao Guangyi Yang Penyuan |
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