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电子导电聚合物[Ge(Pc)O]_n的高分辨电子显微像
引用本文:周啸,托平·马克斯,斯蒂芬·卡尔. 电子导电聚合物[Ge(Pc)O]_n的高分辨电子显微像[J]. 清华大学学报(自然科学版), 1987, 0(3)
作者姓名:周啸  托平·马克斯  斯蒂芬·卡尔
作者单位:清华大学化学工程系(周啸),美国西北大学(托平·马克斯),美国西北大学 (斯蒂芬·卡尔)
摘    要:聚酞菁锗氧烷[Ge(Pc)O]n由酞菁锗二醇的单晶体在 10-1Pa的真空度和 440℃的温度下于固态加热10小时缩聚而成。用透射电子显微镜摄得了该聚合物单晶体中包含分链在内的(100)晶面的条纹像。图像清楚地表明在该种聚合物晶体中,分子链有两种不同的配置方向:平行于板条状晶片的长边或与之成60°的夹角。在它的高分辨电子显微像中,不但可以看到明显的镶嵌块结构,而且可以清楚地看到刃位错、空位、非周期性结构与 Kink等晶体缺陷。

关 键 词:电子显微镜  显微像  成像  晶格成像  聚合物  导电聚合物

High Resolution Electron Micrographs of an Electronic Conductive Polymer [Ge(Pc)O]_n
Zhou Xiao. High Resolution Electron Micrographs of an Electronic Conductive Polymer [Ge(Pc)O]_n[J]. Journal of Tsinghua University(Science and Technology), 1987, 0(3)
Authors:Zhou Xiao
Abstract:
Keywords:electron microscope   micrograph   imaging   lattice imaging   polymer   conductive polymer.
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