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| 多孔硅的不同制备方法及其光致发光 | |
| 引用本文： | 王晓静,李清山,王佐臣.多孔硅的不同制备方法及其光致发光[J].发光学报,2003,24(2):203-207. |
| 作者姓名： | 王晓静 李清山 王佐臣 |
| 作者单位： | 曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165 |
| 摘 要： | 目前，多孔硅的制备方法已有许多种。我们用电化学方法、光化学方法和化学方法分别制备出了室温下在可见光区发射光荧光的多孔硅。通过对实验装置、制备条件、样品的成膜过程及其光致发光(PL)光谱的比较，分析解释了其成膜机理和PL光谱的特点。认为虽然这三种方法都可以制备出多孔硅，但相比较而言，通过电化学方法制备的样品最均匀、实验的可重复性较强、因而电化学方法是被普遍采用的一种方法。另外在多孔硅的成膜过程中，自由载流子起着至关重要的作用。 |
| 关 键 词： | 多孔硅 制备方法 光致发光 电化学方法 光化学方法 光致发光谱 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)02-0203-05 |
FabricationMethod and Photoluminescence of Porous Silicon |
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| Abstract: | |
| Keywords: | porous silicon anodic oxidation photochemic al etching chemical etching photoluminescence |
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