单层结构ε-CuPc光导体的静电照相特性──ε-CuPc的浓度的影响 |
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引用本文: | 蒲嘉陵,张伟民,付一良.单层结构ε-CuPc光导体的静电照相特性──ε-CuPc的浓度的影响[J].影像科学与光化学,1995,13(1):68-73. |
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作者姓名: | 蒲嘉陵 张伟民 付一良 |
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作者单位: | 北京印刷学院技术系信息记录材料实验室, 北京102600 |
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摘 要: | 本研究将ε-酞菁铜(ε-CuPc)按不同浓度分散在一种聚酯树脂(Vylon200)中,并布在铝板基上构成光导体。测试结果表明,这种光导体可用作正充电或负充电光导体,但在相同的有效充电电位下,即,在V-V_T(其中V_T为临界充电电位)相同的条件下,负充电的表面饱和电压高于正充电的表面饱和电压。当ε-CuPc的质量分数超过40%时,光导体的暗衰减速度过快;当ε-CuPc的质量分数低于20%时,暗衰减速度虽然得到控制,但光衰减速度太低,而且残留电位大幅度增高。ε-CuPc的质量分数在30~40%被认为是适当的。
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关 键 词: | 有机光导体 ε-酞菁酮 光导中心浓度 |
收稿时间: | 1993-10-04 |
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