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| 杂质穿透二氧化硅薄层的扩散——浅结低表面浓度扩散的有效方法 | |
| 引用本文： | 张苑岳,江任荣.杂质穿透二氧化硅薄层的扩散——浅结低表面浓度扩散的有效方法[J].半导体技术,1980(2). |
| 作者姓名： | 张苑岳 江任荣 |
| 作者单位： | 中山大学物理系 (张苑岳)，中山大学物理系(江任荣) |
| 摘 要： | 结型硅光电器件的短波光谱响应灵敏度不高的原因,除了硅表面对光的短波部分有很大的反射系数(可达百分之七十)外,主要是由于硅对光的短波有相当大的吸收系数(对于3800埃其a～10~(-5)厘米~(-1),以致短波光子所产生的光生载流子几乎都集中在表面很薄的一层半导体中.然而这些光生载流子往往由于表面和扩散层中复合的损失,使达到p-n结空间电荷区而成为寻电的载流子的数目就相当少了.因此,一般硅光电器件的光谱使用范围在5000～10000埃,峰值在9000埃左右. |
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