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| 在Ge和GaAs衬底上气相生长ZnSe异质结外延膜 | |
| 引用本文： | 黄玉辉 ,王小然.在Ge和GaAs衬底上气相生长ZnSe异质结外延膜[J].电子器件,1987(1). |
| 作者姓名： | 黄玉辉 王小然 |
| 摘 要： | 用气相外延方法在Ge和GaAs衬底上成功地生长出性能良好的异质外延薄膜,经降阻掺杂制成异质P—N〔(p)Ge—ZnSe(n)和(p)GaAs—Znse(n)〕结,克服Ⅱ—Ⅵ族化合物无法做成P—N结的“自补偿”效应,通过X射线分析、劳厄照相和I—V、C—V测试表明,ZnSe 外延薄膜质量较好,可做为重要的光学材料. |
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