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| GD非晶硅中氧、氮对其光电特性的影响 | |
| 引用本文： | 徐温元,孙钟林,王宗畔,李德林.GD非晶硅中氧、氮对其光电特性的影响[J].半导体学报,1982,3(3):197-201. |
| 作者姓名： | 徐温元 孙钟林 王宗畔 李德林 |
| 作者单位： | 南开大学物理系 (徐温元，孙钟林，王宗畔)，南开大学物理系(李德林) |
| 摘 要： | 研究了以氧、氮或它们的混合气体作为掺杂材料所制备的a-Si 薄膜,并分析了掺杂后对其光电特性的影响.在我们的实验室中,不掺杂的样品是高阻和低光电导的,然而在GD制备过程中引入适量的氧或氮,可使其暗电导和光电导发生很大变化,在合适的条件下,其典型值可分别增加七个和四个数量级.文中给出了暗电导、光电导与掺杂量的关系;不同掺杂材料的电导激活能;红外吸收谱和隙态密度分布曲线等.文章最后对结果作了推测性的讨论.并认为,在GD法制备非晶硅薄膜过程中,微量的氧和氮是导致材料光电特性分散的一个重要因素. |
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