| 热氧化法制备ZnO薄膜及其紫外探测特性研究 |
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| 引用本文： | 郑学刚.热氧化法制备ZnO薄膜及其紫外探测特性研究[J].光电子．激光,2007,18(10):1219-1223. |
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| 作者姓名： | 郑学刚 |
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| 作者单位： | 临沂师范学院物理系,山东,临沂,276005 |
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| 摘 要： | 采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上沉积了Zn薄膜,然后在空气中进行了400 ℃至550 ℃加热退火处理,并基于金属-半导体-金属(MSM)平面式结构,制备了ZnO光电导型紫外探测器.实验发现:退火后的薄膜样品表面出现了ZnO纳米线,纵横比在300～1000间;探测器的响应峰值波长约为360 nm,紫外区光响应度是可见区的5倍以上;360 nm紫外光照射的瞬态响应符合e指数变化规律,e指数曲线拟合所得到的驰豫时间常数反映了这个过程中的时间积累.
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| 关 键 词： | ZnO 热氧化 纳米线 光响应 |
| 文章编号： | 1005-0086（2007）10-1219-05 |
| 修稿时间： | 2007-03-26 |
Ultraviolet Photodetection of ZnO Films by Oxidation of Zn Films |
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| ZHENG Xue-gang.Ultraviolet Photodetection of ZnO Films by Oxidation of Zn Films[J].Journal of Optoelectronics·laser,2007,18(10):1219-1223. |
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| Authors: | ZHENG Xue-gang |
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| Institution: | Department of Physics, Linyi Normal University,Linyi 276005 ,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO thermal oxidatioin nanowires photoresponsivity |
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