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| 溅射SiO_2膜的剥离图形 | |
| 引用本文： | 肖虹.溅射SiO_2膜的剥离图形[J].微纳电子技术,1981(6). |
| 作者姓名： | 肖虹 |
| 摘 要： | <正>日本电气公司武藏野电气通信实验室最近报导了溅射SiO_2膜的剥离作图方法,他们用这种方法成功地作成了具有斜侧壁的SiO_2图形,与过去用的湿法化学腐蚀和圆筒形等离子体腐蚀方法相比,没有侧向腐蚀而产生的钻蚀,图形精度高。该实验分以下几个步骤(见图):(a)使用一般光刻法在Si衬底上形成正性抗蚀剂(AZ-135)图形,在140℃下进行后烘,这些图形为微米厚,并有60°斜侧壁。(b)用平面rf磁控管溅射装置,在衬底上淀积SiO_2膜。(c)用缓冲氢氟酸轻微腐蚀(30℃,30s),除去淀积 |
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