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| 1kHz下,N_F<2dB的硅平面NPN型低频低噪声晶体管设计及制造工艺 | |
| 引用本文： | 金德宣.1kHz下,N_F<2dB的硅平面NPN型低频低噪声晶体管设计及制造工艺[J].半导体技术,1984(3). |
| 作者姓名： | 金德宣 |
| 摘 要： | 本文介绍国产硅NPN平面外延小功率低频低噪声晶体管.从电气特性来看,它具有低频下噪声系数小(f=1kHz下,N_F<2dB),小电流放大倍数大,输出特性线性度好及可靠性、稳定性高等优点.可以应用在微弱信号检测系统、载波电话系统、卫星通讯系统、导弹控制系统、高传真音响系统等方面.文章在分析晶体管低频噪声的基础上,着重介绍它的设计和适合大量生产的制造工艺. |
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