| 一种基于碳纳米管的随机存储器 |
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| 引用本文： | 孙劲鹏,王太宏. 一种基于碳纳米管的随机存储器[J]. 物理学报, 2002, 51(9): 2096-2100 |
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| 作者姓名： | 孙劲鹏 王太宏 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,北京100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费 (批准号:G2 0 0 1CB3 0 95 );国家自然科学基金(批准号 :6992 5 410和 1990 40 15 )资助的课题 |
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| 摘 要： | 利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并得出系统具有良好存储效应所应满足的条件关键词：碳纳米管范德瓦耳斯力动态随机存储器
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| 关 键 词： | 碳纳米管 范德瓦耳斯力 动态随机存储器 |
| 文章编号： | 1000-3290/2002/51(09)/2096-05 |
| 收稿时间： | 2002-01-16 |
| 修稿时间： | 2002-01-16 |
A carbon nanotube-based novolatile random access memory |
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| Sun Jin-Peng and Wang Tai-Hong. A carbon nanotube-based novolatile random access memory[J]. Acta Physica Sinica, 2002, 51(9): 2096-2100 |
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| Authors: | Sun Jin-Peng and Wang Tai-Hong |
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| Abstract: | We have designed a carbon nanotube-based novolatile random access memory, which is proved to be a bistable memory. We analyze the advantage and feasibility of the memory. The basic parameters of a good memory are also calculated in this paper. |
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| Keywords: | carbon nanotube(CNT) van der Waals energy dynamic random access memory(DRAM) |
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