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处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法
引用本文:谢征微,李伯臧. 处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法[J]. 物理学报, 2002, 51(2): 399-405
作者姓名:谢征微  李伯臧
作者单位:中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心,北京100080
基金项目:国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 75 )资助的课题
摘    要:在Slonczewski自由电子模型的基础上,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法,并以三种常见构形的势垒,即梯形势垒,计入了镜像势的梯形势垒和抛物线势垒为例,讨论了势垒形状对隧穿磁电阻及其随偏压变化的影响.关键词:磁性隧道结隧穿磁电阻任意形状势垒非零偏压

关 键 词:磁性隧道结  隧穿磁电阻  任意形状势垒  非零偏压
收稿时间:2001-03-13
修稿时间:2001-03-13

A simple method for studing the electron transport properties in the magnetic tunnel junction with an arbitrary barrier shape
Xie Zheng-Wei Li Bo-Zang. A simple method for studing the electron transport properties in the magnetic tunnel junction with an arbitrary barrier shape[J]. Acta Physica Sinica, 2002, 51(2): 399-405
Authors:Xie Zheng-Wei Li Bo-Zang
Abstract:Based on the Slonczewski's free electron model,we present a simple method that can be used to study the electron transport properties in a magnetic tunnel junction with an arbitrary barrier shape.As examples,the TMR for three familiar barrier shapes,i.e.,the trapezoidal barrier,the barrier with mirror potential taken into account,and the parabolic barrier,has been calculated.
Keywords:magnetic tunnel junction   tunneling magnetic resistance   arbitrary barrier shape   none zero bias  
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