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GaSb(100)的表面再构
引用本文:贺仲卿,侯晓远,丁训民. GaSb(100)的表面再构[J]. 物理学报, 1992, 41(8): 1315-1321
作者姓名:贺仲卿  侯晓远  丁训民
作者单位:复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433
摘    要:用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2×6)再构和离子轰击加退火(IBA)制备的、表面存在Ga岛的(2×3)再构均变为简单的(1×3)再构。关键词

关 键 词:GaSb(100) 表面再构 LEED XPS
收稿时间:1991-08-02

SURFACE RECONSTRUCTION OF GaSb(lOO)
HE ZHONG-QING,HOU XIAO-YUAN and DING XUN-MIN. SURFACE RECONSTRUCTION OF GaSb(lOO)[J]. Acta Physica Sinica, 1992, 41(8): 1315-1321
Authors:HE ZHONG-QING  HOU XIAO-YUAN  DING XUN-MIN
Abstract:Various reconstructions (c(2×6), (1×3) and (2×3)) of the GaSb (100) surface have been studied by LEED, XPS and UPS. All the three reconstructed surfaces are terminated by Sb atoms with some rows missing. Annealing in an Sb environment of both MBE-prepared, Sbdimerized c(2×6) reconstruction and IBA-prepared, Gaislands-existing (2×3) reconstruction leads to the same (1×3) reconstruction.
Keywords:
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