| 低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性 |
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| 引用本文： | 陈诺夫,何宏家,王玉田,林兰英.低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性[J].中国科学A辑,1996,39(12):1117-1121. |
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| 作者姓名： | 陈诺夫 何宏家 王玉田 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 100083 |
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| 摘 要： | 对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析和实验研究,结果表明,低温分子束外延生长的GaAs单晶中含有密度大约为1020cm-3的过量As原子,这些As原子主要以间隙原子对As2i的形式位于正常的As格点位置,使LTMBEGaAs单晶的晶格常数相对于SI-GaAs单晶衬底增加约为0.1％.高于300℃的退火即可使间隙原子对As2i离解,使过量的As原子形成沉淀.随着退火温度的增加,As沉淀向外延层界面处集中.在外延层界面处As沉淀团与GaAs单晶形成的载流子耗尽区相互重叠,呈现出高阻特性,有效地抑制了FET的背栅和侧栅效应.
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| 关 键 词： | 低温分子束外延 GaAS单晶 晶格常数 As间隙原子对 As沉淀 背栅和侧栅效应 |
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