| 氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究 |
| |
| 引用本文： | 马智训,廖显伯,程文超,岳国珍,王永谦,何杰,孔光临.氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究[J].中国科学A辑,1998,41(6):555-561. |
| |
| 作者姓名： | 马智训 廖显伯 程文超 岳国珍 王永谦 何杰 孔光临 |
| |
| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家实验室 北京100083
(2)中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083 |
| |
| 摘 要： | 采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a-SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a-Si原子团和Si纳米晶粒有关.
|
| 关 键 词： | 纳米硅 光致发光 红外谱 Raman谱 |
|
| 点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学A辑》下载免费的PDF全文 |
|
