| GaAs（100）表面氧化的XPS 研究 |
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| 引用本文： | 任殿胜,王为,李雨辰,严如岳. GaAs（100）表面氧化的XPS 研究[J]. 化学物理学报, 2004, 17(1): 87-90 |
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| 作者姓名： | 任殿胜 王为 李雨辰 严如岳 |
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| 作者单位： | 天津大学化工学院，天津大学化工学院，中国电子科技集团公司第四十六研究所，中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300072，中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300192，天津300072，天津300192，天津300192 |
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| 摘 要： | 用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光 臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等 .研究表明 ,两种氧化方法的氧化过程不同 ,在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同 ,热氧化下氧化层主要由Ga2 O3、As2 O3、As2 O5 以及少量元素As组成 ,而且表面明显富镓 ;紫外光激发下生成的氧化物主要为Ga2 O3 和As2 O3 ,镓砷比与本体一致 .讨论了可能的反应机理 ,紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子 ,增加了氧的反应活性 ;同时也激发了GaAs材料的价电子 ,使其更容易被氧化
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| 关 键 词： | XPS 砷化镓 表面氧化 |
| 收稿时间： | 2003-02-24 |
Studies of Oxidation on GaAs(100) Surface by XPS |
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| Ren Diansheng,Wang Wei,Li Yuchen and Yan Ruyue. Studies of Oxidation on GaAs(100) Surface by XPS[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2004, 17(1): 87-90 |
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| Authors: | Ren Diansheng Wang Wei Li Yuchen Yan Ruyue |
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| Affiliation: | Ren Diansheng a,b*,Wang Wei a,Li Yuchen b,Yan Ruyue b |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | XPS GaAs Surface oxidation |
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