| 金属-氧化物-半导体结构电容-电压特性的扫描非线性介电显微镜表征 |
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| 引用本文： | 黄惠东,王志红,左长明,曾慧中.金属-氧化物-半导体结构电容-电压特性的扫描非线性介电显微镜表征[J].电子显微学报,2006,25(2):131-134. |
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| 作者姓名： | 黄惠东 王志红 左长明 曾慧中 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 扫描非线性介电显微镜(SNDM)利用非线性介电效应检测电容的变化情况,分辨率达到亚纳米量级,精度达到10-22F,主要应用于材料微区的电性能研究,目前以这项技术进行的研究主要集中在铁电材料和半导体材料方面,相关的报道也较少.本研究用扫描非线性介电显微镜对集成电路中具有n型与p型掺杂的60μm×60 μm区域进行二维表征,得到定点非线性电容与电压的关系曲线,并由积分得到对应的电容电压特性曲线,认为界面陷阱的作用是金属-氧化物-半导体非线性电容-电压特性曲线突变的影响因素.
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| 关 键 词： | MOS 扫描非线性介电显微镜 界面 陷阱 |
| 文章编号： | 1000-6281（2006）02-0131-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-09 |
| 修稿时间： | 2005-05-092006-01-24 |
Observation of capacitance-voltage characteristic for Metal-Oxide-Semiconductor junction by using scanning nonlinear dielectric microscope |
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| HUANG Hui-dong,WANG Zhi-hong,ZUO Chang-ming,ZENG Hui-zhong.Observation of capacitance-voltage characteristic for Metal-Oxide-Semiconductor junction by using scanning nonlinear dielectric microscope[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2006,25(2):131-134. |
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| Authors: | HUANG Hui-dong WANG Zhi-hong ZUO Chang-ming ZENG Hui-zhong |
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| Abstract: | The nonlinear capacitance of Metal-Oxide-Semiconductor structure was measured by scanning nonlinear dielectric microscopy,and the reason of a peak appeared in the dC/dV versus voltage curve in the range from 1.5 V to 3.0 V could be concluded to the influence of the traps at the interface of the junction. |
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| Keywords: | MOS MOS SNDM interface trap |
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