| Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究 |
| |
| 引用本文： | 陈瀚,邓宏.Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究[J].压电与声光,2007,29(6):700-703. |
| |
| 作者姓名： | 陈瀚 邓宏 |
| |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;四川机电职业技术学院,四川,攀枝花,617000
2. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;四川省应用项目;国家预研基金 |
| |
| 摘 要： | 采用Sol-Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO∶Cd薄膜,并对其在600~800℃热处理。X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO∶Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽(FWHM,ZnO(002))不断减小,并沿c轴择优取向生长;Cd掺杂后,未出现CdO或其他镉化物等杂质相,但在(002)峰-峰顶出现了分叉(多峰)现象。随着退火温度的升高,多峰消失,但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜(SEM)显示ZnO∶Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明,ZnO∶Cd薄膜的禁带宽度平均为3.10 eV;800℃,x(Cd)=8%样品的禁带宽度为2.80 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度(3.30 eV)明显减小,这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。
|
| 关 键 词： | Sol-Gel法 光学禁带 透射光谱 ZnO:Cd薄膜 |
| 文章编号： | 1004-2474（2007）06-0700-04 |
| 收稿时间： | 2006-10-16 |
| 修稿时间： | 2006年10月16 |
Preparation of Cd-doped ZnO Thin Films by Sol-Gel Technique and Investigation on Structural Properties |
| |
| CHEN Han,DENG Hong.Preparation of Cd-doped ZnO Thin Films by Sol-Gel Technique and Investigation on Structural Properties[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2007,29(6):700-703. |
| |
| Authors: | CHEN Han DENG Hong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Sol-Gel optical bandgap photolum inescnce Cd-doped ZnO thin film |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
