Investigation of the acid distribution near the reactant-product interface during the thermal decomposition of copper hypophosphite thin layers

During the decomposition of thin layers of copper hypophosphite on a plate, an increased concentration of the active product of the reaction (acid) may be observed near the reactantproduct interface, The acid profile near the interface widens on increase of the decomposition temperature. The profile can also be widened by reducing the efficiency of acid removal to the plate by its preliminary acid saturation. In both cases the rate of interface propagation is increased. The increased reactivity of copper hypophosphite near the interface, and the technological character of the decomposition reaction, are caused by acid diffusion from the reaction product into non-reacted parts of the substance.

---

Zusammenfassung Während der Zersetzung dünner Schichten Kupferhypophosphit kann in der Umgebung der Reaktand-Reaktionsprodukt Grenzfläche eine erhöhte Konzentration des aktiven Produktes der Reaktion (Säure) beobachtet werden. Die Säurezone in der Umgebung der Grenzfläche wird mit zunehmender Temperatur breiter. Diese Zone kann auch durch Verringern der Wirksamkeit der Säureentfernung in Richtung Träger durch dessen vorangehende Säuresättigung verbreitert werden. In beiden Fallen ist die Geschwindigkeit des Grenzflächenzuwachses erhöht. Die erhöhte Reaktivität von Kupferhypophosphit in der Umgebung der Grenzfläche sowie der technologische Charakter der Zersetzurrgsreaktion wird durch Säurediffusion von den Reaktionsprodukten in noch unreagierte Zonen der Substanzen verursacht.

---

— , . . , . . .