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Zn:LiNbO3晶体倍频性能的研究
引用本文:李铭华,韩爱珍.Zn:LiNbO3晶体倍频性能的研究[J].光学学报,1997,17(4):30-433.
作者姓名:李铭华  韩爱珍
作者单位:李铭华:哈尔滨工业大学应用化学系, 哈尔滨 150001
孙尚文:哈尔滨工业大学应用化学系, 哈尔滨 150001
徐玉恒:哈尔滨工业大学应用化学系, 哈尔滨 150001
韩爱珍:哈尔滨工业大学航天电子工程系, 哈尔滨 150001
基金项目:黑龙江省自然科学基金资助。
摘    要:在LiNbO3晶体中掺入ZnO,生长ZnO:LiNbO3晶体,当ZnO的掺入浓度高于6mol%时,晶体的抗光损伤能力提高两个数量级,与高掺Mgo相似。Zn:LiNbO3的倍频转换效率可达50%左右,高于Mg;LiNbO3。本文对Zn:LiNbO3晶体中Zn^2+离子占痊以及抗光损伤增强机理进行了初步探讨。

关 键 词:晶体  抗光损伤  倍频  铌酸锂
收稿时间:1996/4/26

Frequency Doublng Properties of Zn:LiNbO3 Crystal
Abstract:Doping ZnO into LiNbO3, Zn:LiNbO3 crystal have been grown. The photo damage resistance increases of two magnituder when the ZnO doping concentrations were higher than 6 mol%. This value is similar to that of MgO(>4.6 mol%):LiNbO 3. The frequency doubling conversion efficiency of Zn (6 mol%):LiNbO3 was measured to be about 5%, ligher than that of Mg (6 mol%):LiNbO3. The location of Zn2+ ions and the enhancement machenism of photo damage resistance of Zn:LiNbO3 are discussed in this paper.
Keywords:Zn:LiNbO3 crystal  photo damage resistance  frequency doubling
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