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| 1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex／Si多量子阱探测器集成的优… | |
| 引用本文： | 李宝军,李国正.1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex／Si多量子阱探测器集成的优…[J].光学学报,1997,17(12):718-1723. |
| 作者姓名： | 李宝军 李国正 |
| 摘 要： | 对１。５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽，高和腐蚀深度分别为８，３和２．６μｍ，２）对ＳＩ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ，２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５ＧＥ０．５＋１８ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。 |
| 关 键 词： | 光波导 量子阱 红外探测器 优化设计 硅 锗 |
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