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低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索
引用本文:许颖,励旭东,王文静,于元,赵玉文,沈辉.低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索[J].发光学报,2003,24(3):301-304.
作者姓名:许颖  励旭东  王文静  于元  赵玉文  沈辉
作者单位:1. 北京市太阳能研究所,北京,100083
2. 中国科学院广州能源所,广东,广州,510070
基金项目:国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000028208)
摘    要:在低成本、两种纯度的P^ 颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜。通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6.25%(高纯硅粉制成的SSP衬底)和4.5%(低纯硅粉制成的SSP衬底)。

关 键 词:多晶硅薄膜电池  太阳电池  颗粒硅带  扩散工艺  化学气相沉积  低成本衬底  光伏电池
文章编号:1000-7032(2003)03-0301-04

Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells on Low Cost Substrates
Abstract:
Keywords:crystalline silicon  thin film  solar cells
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