碱性抛光液对铜与钽CMP选择比的影响 |
| |
引用本文: | 黄汀鹤,刘玉岭,胡轶,包捷,郑伟艳.碱性抛光液对铜与钽CMP选择比的影响[J].微纳电子技术,2012(11). |
| |
作者姓名: | 黄汀鹤 刘玉岭 胡轶 包捷 郑伟艳 |
| |
作者单位: | 河北工业大学微电子研究所;机械科学研究总院中机生产力促进中心; |
| |
基金项目: | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308) |
| |
摘 要: | 在ULSI多层铜布线中,由于钽与铜在物理及化学性质上的差别导致这两者的CMP去除速率不同,从而在抛光结束后出现蝶形坑等缺陷,影响器件性能。通过实验分析碱性抛光液中磨料、螯合剂、氧化剂、pH值、活性剂对铜与钽CMP选择比的影响。根据铜与钽的CMP去除机理,从实验结果分析出对铜、钽去除速率影响较为明显的成分,调节这些成分得到特定配比的抛光液,分别实现了铜与钽的去除速率相等、铜的去除速率大于钽、铜的去除速率小于钽。使用上述铜去除速率小于钽的抛光液对12英寸(1英寸=2.54 cm)图形片进行抛光,通过原子力显微镜观察,证明了这种抛光液能有效地修复多层布线CMP中的蝶形坑等缺陷。
|
关 键 词: | 选择比 化学机械抛光(CMP) 抛光液 阻挡层 铜 蝶形坑 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|