MISHFET的研制

本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这是一种具有二维电子气的异质结场效应器件。栅电极尺寸为4μm×40μm,测量到的开启电压为+1.4V,跨导为20—25mS/mm,还给出了低温测量结果。