无GaAs缓冲层MBE生长InSb材料的工艺及其特性 |
| |
引用本文: | 宋福英.无GaAs缓冲层MBE生长InSb材料的工艺及其特性[J].红外与激光技术,1995,24(5):43-46,56. |
| |
作者姓名: | 宋福英 |
| |
摘 要: | 采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在GaAs(100)衬底上进行了InSb薄膜的分析束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现:不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。
|
关 键 词: | 红外焦平面 缓冲层 迁移率 分子束外延 锑化铟 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|