| 反射条结构激光再结晶SOI的微结构研究 |
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| 引用本文： | 刘峥,邵贝羚,李永洪,王红卫,杨景铭,钱佩信. 反射条结构激光再结晶SOI的微结构研究[J]. 电子学报, 1996, 24(8): 15-18 |
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| 作者姓名： | 刘峥 邵贝羚 李永洪 王红卫 杨景铭 钱佩信 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院，清华大学微电子学研究所 |
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| 摘 要： | 用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）的微结构和微缺陷，实验观察表明，正常工艺条件下，经激光再结晶处理后硅膜可分为三个不同的区域：中间为单晶区，膜面取向为［１００］；两侧为再结晶大晶粒区；最外侧为尚未再结晶的多晶区．当工艺条件不适当时，在＂单晶区＂中存在亚晶界和大角晶界；在＂单晶区＂两侧，有排列整齐的１８０°微孪晶，孪晶面为｛１１１｝．再结晶大晶粒的取向没有规律性，多晶区由具有明显织构的柱状晶组成，文中讨论了缺陷出现的原因．
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| 关 键 词： | SOI 激光再结晶 微结构 微缺陷 |
Study on the Microstructure of Laser-Recrystallization SOI with Reflecting-Stripe |
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| Liu Zheng,Shao Beiling,Li Yonghong. Study on the Microstructure of Laser-Recrystallization SOI with Reflecting-Stripe[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, 24(8): 15-18 |
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| Authors: | Liu Zheng Shao Beiling Li Yonghong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon-on-Insulator Laser-recrystallization Microstructure Micro-defects |
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