| Cu-N共掺β-Ga2O3的光电性质的第一性原理计算 |
| |
| 作者姓名： | 宋娟 王一 郭祥 罗子江 王继红 |
| |
| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州财经大学信息学院,贵州大学大数据与信息工程学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,省市自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论,本文通过OTFG赝势方法计算了本征β-Ga2O3以及Cu-N共掺后β-Ga2O3的晶格常数、电子结构以及光学特性.计算结果表明本征β-Ga2O3的禁带宽度为4.5 eV;Cu和N掺入β-Ga2O3后属于受主杂质,并且引入了深受主能级,这表明Cu-N共掺后β-Ga2O3变为p型半导体材料;光学性质计算结果表明本征β-Ga2O3的静介电函数为2.5,掺杂后β-Ga2O3的静介电函数增大,对电荷的存储能力增强;此外,Cu-N的共掺对β-Ga2O3的吸收系数、反射率在能量较低的区域的影响较大,而对能量较高的区域影响较小.
|
| 关 键 词： | 密度泛函理论 β-Ga2O3 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2021-03-04 |
| 修稿时间： | 2021-04-21 |
|
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《原子与分子物理学报》下载全文 |
|
