| 后退火时间对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响 |
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| 引用本文： | 杨赉,高灿灿,杨发顺,马奎.后退火时间对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响[J].原子与分子物理学报,2022,39(5):053002-124. |
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| 作者姓名： | 杨赉 高灿灿 杨发顺 马奎 |
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| 作者单位： | 贵州大学,贵州大学,贵州大学,贵州大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（61664004），半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金项目（ERCME-KFJJ2019-(01)） |
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| 摘 要： | 第三代半导体β-Ga2O3因其优异的性质在近年来备受国内外的关注，而获得质量较好的β-Ga2O3薄膜也就成了其广泛应用的关键.本文采用射频磁控溅射方法，以C面蓝宝石(Al2O3)为衬底制备β-Ga2O3薄膜，并研究后退火工艺中退火时间对制得的β-Ga2O3薄膜材料的影响. XRD和AFM表征结果表明，随着退火时间的增加，薄膜的衍射峰强度表现为先增大后减小再增大的特性，半峰宽为先增大后减小，而晶粒尺寸与半峰宽相反；薄膜表面粗糙程度呈现先下降后上升的趋势.另外，利用积分球式分光光度计测试了薄膜的光学特性，结果表明薄膜的吸收光谱存在两个吸收峰值，分别位于250 nm和300 nm附近处，在深紫外区域有较好的吸收特性.
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| 关 键 词： | β-Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 退火时间 衍射峰强度 光学特性 |
| 收稿时间： | 2021/7/1 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/8/9 0:00:00 |
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