| 极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响 |
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| 作者姓名： | 刘红侠 高博 卓青青 王勇淮 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 61076097, 60976068)、教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号: 708083)和微电子预研资助项目(批准号: 513080401)资助的课题. |
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| 摘 要： | 基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用, 通过自洽求解Poisson-Schrödinger方程以及求解载流子连续性方程, 计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响. 结果表明, 极化效应与p-AlGaN层掺杂浓度相互作用对探测器性能有较大影响. 其中, 在完全极化条件下, p-AlGaN层掺杂浓度越大, p-AlGaN层的耗尽区越窄, i-GaN层越容易被耗尽, 器件光电流越小. 在一定掺杂浓度条件下, 极化效应越强, p-AlGaN层的耗尽区越宽, 器件的光电流越大. 最后还分析了该结构在不同温度下的探测性能, 证明了该结构可以在高温下正常工作.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN异质结 光探测器 p-i-n结构 极化效应 |
| 收稿时间： | 2011-03-16 |
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