| 半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究 |
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| 引用本文： | 晏长岭,钟景昌,赵英杰,苏伟,黎荣晖,任春燕.半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究[J].发光学报,2001,22(3):289-293. |
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| 作者姓名： | 晏长岭 钟景昌 赵英杰 苏伟 黎荣晖 任春燕 |
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| 作者单位： | 长春光学吉林 |
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| 摘 要： | 在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。
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| 关 键 词： | 分布布拉格反射镜 DBR 超晶格 分子束外延 MBE 串联电阻 半导体激光器 特性研究 GaAs／AlAs 砷化镓／砷化铝 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)03-0289-05 |
| 修稿时间： | 2000年9月13日 |
Characteristics of Semiconductor/Superlattice Distributed Bragg Reflector |
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| YAN Chang ling,ZHONG Jing chang,ZHAO Ying jie,Su Wei,LI Rong hui,Ren Chun yan.Characteristics of Semiconductor/Superlattice Distributed Bragg Reflector[J].Chinese Journal of Luminescence,2001,22(3):289-293. |
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| Authors: | YAN Chang ling ZHONG Jing chang ZHAO Ying jie Su Wei LI Rong hui Ren Chun yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | distributed Bragg reflector(DBR) superlattice molecular beam expitaxy(MBE) reflection spectrum series resistance |
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