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| Si衬底功率型GaN基绿光LED性能 | |
| 引用本文： | 苏丽伟,游达,程海英,江风益.Si衬底功率型GaN基绿光LED性能[J].光学学报,2009,29(4). |
| 作者姓名： | 苏丽伟 游达 程海英 江风益 |
| 作者单位： | 1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047 2. 晶能光电(江西)有限公司,江西,南昌,330096 3. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;晶能光电(江西)有限公司,江西,南昌,330096 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400 μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究.带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%,光输出饱和电流高达600 mA.在200 mA电流下加速老化216 h,有银反射镜的LED光衰小于尤银反射镜的LED,把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时,降低了芯片奉身的温度.本器件有良好的发光效率,光衰和光输出饱和电流等综合特性表明,Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发展前景. |
| 关 键 词： | 光学材料 Ag反射镜 加速老化 Si衬底 绿光LED |
Characterization of High-Power GaN-Based Green LED on Si Substrate |
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| Su Liwei,You Da,Cheng Haiying,Jiang Fengyi.Characterization of High-Power GaN-Based Green LED on Si Substrate[J].Acta Optica Sinica,2009,29(4). | |
| Authors: | Su Liwei You Da Cheng Haiying Jiang Fengyi |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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