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| CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究 | |
| 引用本文： | 张希清,徐征,侯延冰,王振家,王永生,徐叙溶,Z K Tang,汪河州,李伟良,赵福利,蔡志刚,周建英.CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究[J].半导体学报,1999,20(10):936-940. |
| 作者姓名： | 张希清 徐征 侯延冰 王振家 王永生 徐叙溶 Z K Tang 汪河州 李伟良 赵福利 蔡志刚 周建英 |
| 作者单位： | [1]北方交通大学光电子技术研究所 [2]中山大学激光光谱学国家重点室 |
| 摘 要： | 采用ＭＢＥ制备了ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱结构．Ｘ射线衍射谱的最高阶次是７，在７７Ｋ下ＰＬ光谱的线宽是４．２ｎｍ，表明我们的样品具有较高的质量．在变密度激发的ｐｓ时间分辨光谱中，随着激发密度的减小发光衰减时间减小，认为是由无辐射复合引起的． |
| 关 键 词： | 多量子阱 Ⅱ－Ⅵ族 Ⅲ－Ⅴ族 半导体异质结 结构 |
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