测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响 |
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作者姓名: | 彭英才 刘明 何宇亮 江兴流 李国华 韩和相 |
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作者单位: | 河北大学电子与信息工程系,北京航空航天大学非晶态物理研究室,中国科学院半导体研究所 |
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摘 要: | 利用常规等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si∶H膜,并对其光致发光(PL)特性从10~250K温度范围内进行了变温测量.实验结果指出,随着测试温度升高,PL峰值能量发生了54meV的红移,PL强度在T>80K后呈指数下降趋势.PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩,而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用.
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关 键 词: | nc-Si∶H膜,光致发光,带隙收缩,非辐射复合,量子尺寸效应 |
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