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| 测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响 | |
| 引用本文： | 彭英才,刘明,何宇亮,江兴流,李国华,韩和相.测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响[J].发光学报,1998(1). |
| 作者姓名： | 彭英才 刘明 何宇亮 江兴流 李国华 韩和相 |
| 作者单位： | 河北大学电子与信息工程系，北京航空航天大学非晶态物理研究室，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用． |
| 关 键 词： | nc-Si∶H膜，光致发光，带隙收缩，非辐射复合，量子尺寸效应 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |