| Zn掺杂对Bi2212单晶临界电流密度的影响 |
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| 引用本文： | 冯双久,马杰,李广,时亮,李毕友,李晓光.Zn掺杂对Bi2212单晶临界电流密度的影响[J].低温物理学报,2003,25(Z1):46-49. |
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| 作者姓名： | 冯双久 马杰 李广 时亮 李毕友 李晓光 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,材料科学与工程系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，50072010，NKBRSF-G19990646-03，， |
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| 摘 要： | 通过对少量Zn掺杂Bi2212单晶样品不同温度下的磁滞回线的测量,根据Bean临界态模型得到了样品在不同温度和磁场下的临界电流密度.发现不同温度下的临界电流密度与磁场的关系可以用Jc(H,T)=Jc(0,T)exp(-Hα)进行拟合,并且拟合参量α随温度的上升而增大,而在Pb掺杂和纯Bi2212单晶中α值基本上是不随温度变化的.将得到的Jc与Pb掺杂和纯Bi2212单晶的结果进行比较,发现在相同的温度和磁场下Zn掺杂样品具有最高的临界电流密度,表明少量Zn掺杂使得样品的临界电流密度得到提高.Zn掺杂对Bi2212体系临界电流密度的提高主要来源于在材料中引入了有效的涡旋钉扎中心,而Pb掺杂体系中Jc的提高是体系的层间耦合增强导致的结果.
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INFLUENCE OF Zn DOPING ON CRITICAL CURRENT DENSITY IN Bi2212 SINGLE CRYSTAL |
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