| 调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子 |
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| 引用本文： | 冀子武,鲁云,陈锦祥,三野弘文,秋本良一,嶽山正二郎.调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子[J].物理学报,2008,57(2):1214-1219. |
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| 作者姓名： | 冀子武 鲁云 陈锦祥 三野弘文 秋本良一 嶽山正二郎 |
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| 作者单位： | (1)产业技术综合研究所超高速光学器件研究实验室，茨城 305-8568，日本; (2)东京大学生产技术研究所,东京 153-8505，日本; (3)东京大学物性研究所,柏 277-8581，日本; (4)千叶大学工学部城市环境系统学科，千叶大学自然科学研究科，千叶 263-8522，日本 |
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| 基金项目： | 日本文部省科学研究资助特别领域研究(2)(批准号:15034203)及基础研究(C) (批准号:15540310) 资助的课题. |
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| 摘 要： | 报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2—5 K)条件下的光致发光(PL)，光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果. 观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光. PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献，非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中，
关键词：
光致发光
二维电子气
带电激子
Ⅱ型量子阱
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| 关 键 词： | 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱 |
| 文章编号： | 1000-3290/2008/57(02)/1214-06 |
| 收稿时间： | 5/8/2007 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 6/9/2007 12:00:00 AM |
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