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| AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究 | |
| 引用本文： | 郑泽伟,沈波,刘杰,周慧梅,钱悦,张荣,施毅,郑有炓,蒋春萍,郭少令,郑国珍,褚君浩,Someya T,Arakawa Y. AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究[J]. 发光学报, 2001, 22(Z1): 67-70 |
| 作者姓名： | 郑泽伟 沈波 刘杰 周慧梅 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 蒋春萍 郭少令 郑国珍 褚君浩 Someya T Arakawa Y |
| 作者单位： | 1. 南京大学物理系, 2. 中国科学院 3. Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science,University of Tokyo, 7-22-1 Roppongi, Minato-ku, |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，日本科学促进会资助项目，69806006,69976014,69987001，，JSPS-RFTF96P00201，，， |
| 摘 要： | 在1.5K低温和0～9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-da HaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据.通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为7.2×1012cm-2.通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究,说明在1.5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用. |
| 关 键 词： | 磁传输特性 二维电子气 AlxG1-xN/GaN |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0067-04 |
| 修稿时间： | 2001-03-17 |
Investigation of the Magnetotransport Properties of the Two-dimentional Electron Gas in AlxGa1-xN/GaN Heterostructures |
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