反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应 |
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引用本文: | 杜川华, 詹峻岭, 徐曦. 反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(02). |
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作者姓名: | 杜川华 詹峻岭 徐曦 |
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作者单位: | 1.中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621 900 |
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摘 要: | 简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果。分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态,因此存在功能失效的可能性。但就整体而论,反熔丝FPGA抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模CMOS集成电路。
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关 键 词: | 反熔丝FPGA 延时电路 辐射效应 γ剂量率 |
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