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| 多孔硅薄层的正电子湮灭寿命研究 | |
| 引用本文： | 黄红波, 徐寒, 黄彦君, 夏元复, 蒋中英. 多孔硅薄层的正电子湮灭寿命研究[J]. 物理, 2005, 34(02): 147-150. |
| 作者姓名： | 黄红波 徐寒 黄彦君 夏元复 蒋中英 |
| 作者单位： | 1.(1)南京大学物理系 南京 210093;2.(2)南京大学物理系 南京 210093;3.伊犁师范学院物理系 伊宁 835000 |
| 摘 要： | 用阳极氧化法按不同腐蚀条件制备的多孔硅，其薄层厚度仅为几十纳米，远小于22Na源的正电子平均射程.文章提出了一种用22Na的正电子测量体寿命谱并扣除基片贡献的方法，来确定多孔硅薄层的平均孔径. |
| 关 键 词： | 正电子湮没 多孔硅 正电子素 阳极氧化法 |
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