同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP(100)表面氮化反应的影响 |
| |
作者姓名: | 季航 赵特秀 王晓平 吴建新 徐彭寿 陆尔东 许振嘉 |
| |
作者单位: | [1]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [2]中国科学技术大 |
| |
摘 要: | 利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响.通过P2p、In4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N2/Na/N2/Na/N2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氨化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对Ⅲ-Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半
|
关 键 词: | 磷化铟 半导体表面 氮化反应 光电子能谱 钠 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |